The Center of High Energy Physics
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Experiments > PES
본 연구팀은 차세대 고에너지 선형충돌가속기(Linear Collidor: LC)에 사용될 편극도가 높은 전자빔원을 개발하는 연구를 수행하고 있다.

GaAs를 이용한 편극전자빔원은 지금까지 각종 가속기 실험에 사용되어 그 유용성을 실증(實証)해 왔다. 1970년대 후반에는 Stanford Linear Accelerator Center (SLAC)의 C. Sinclair, C. Y. Prescott 등이 GaAs를 이용한 편극전자빔으로 고에너지 실험을 수행하여 중성 약상호작용 (Neutral Weak Interaction)에서 일어나는 Parity 비보존을 검증했다[1]. 이것의 정밀측정을 위해서 1993년에 행해진 SLC/SLD 실험에도 같은 GaAs를 사용한 편극전자빔으로 Z-Pole에서 Weinberg각의 정밀 측정을 하였으며[2], 이 실험에서는 나고야 대학 그룹이 개발한 것과 같은 종류의 Strained GaAs 결정을 이용하여 편극전자의 편극도를 높이는데 성공하였다.

차세대 가속기로서 현재 계획되고 있는 500 GeV ~1 TeV 에너지 영역의 선형전자충돌형 가속기에도 편극전자빔원이 중요한 역할을 할 것으로 기대되고 있다. 이러한 에너지 영역에는 표준모형에서 예언된 Higgs 입자가 발견될 가능성이 있고 또 초대칭성입자 (SUSY)의 탐색도 가능해 진다. 선형가속기의 성능을 최대한 발휘시킬 수 있는 것이 편극전자빔원이다.

이러한 고에너지 선형가속기에는 높은 충돌 에너지와 함께 이라는 높은 Luminosity가 필요해진다. 이것은 먼저 주어진 SLC/SLD실험 (SLAC)에 비교하여 4승이나 높은 값이다. 그 때문에 가속기에서 편극전자빔원을 실용화할 경우 편극도가 높은 전자빔을 높은 Peak 전류(10 A)에서 인출하여, 충분한 시간 높은 양자효율을 보존한 상태로 multi-bunch의 저(低)에믹단스 빔을 생성할 필요가 있다.

Year Subtitle File Date
2000 PES 17 Feb 2003
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